| 发明名称 | 老化测试的方法和老化测试的测量程序 | ||
| 摘要 | 一种老化测试的方法包括步骤(a)和(b)。在步骤(a)中，通过位于探针板(1，1’)上的第一探针(4，5)来执行第一半导体器件(DUT1，DUT2)的操作测试。在步骤(b)中，当执行操作测试时，通过位于探针板(1，1’)上的第二探针(6)将应力施加到第二半导体器件(DUT1’，DUT2’)。 | ||
| 申请公布号 | CN100437132C | 申请公布日期 | 2008.11.26 |
| 申请号 | CN200510108776.6 | 申请日期 | 2005.09.30 |
| 申请人 | 恩益禧电子股份有限公司 | 发明人 | 佐佐木卓 |
| 分类号 | G01R31/26(2006.01);G01R31/28(2006.01);H01L21/66(2006.01) | 主分类号 | G01R31/26(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 穆德骏;陆锦华 |
| 主权项 | 1.一种老化测试的方法，包括：(a)通过位于探针板上的第一探针来执行第一半导体器件的操作测试；以及(b)当执行所述操作测试时，通过位于所述探针板上的第二探针将应力施加到第二半导体器件；以及(c)当通过所述操作测试在所述第一半导体器件中发现故障时，停止所述操作测试，其中即使在所述操作测试被停止之后，也继续所述步骤(b)直到完成将预定应力施加到所述第二半导体器件。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||