改善层间附着的方法

摘要

本发明提供用于在两层低k值介电层之间沉积低介电常数附着层的衬底处理方法。本发明的一个方面提供处理衬底的方法，包括在衬底上沉积阻挡层(112)，其中阻挡层包括硅和碳，其介电常数小于4，临近阻挡层，沉积介电起始层，临近介电起始层，沉积第一介电层(110)，其中介电层包括硅、氧和碳，其介电常数约为3或更小。

主权项

1.一种处理衬底的方法，包括：在衬底上沉积阻挡层，其中所述阻挡层包括硅和碳，其介电常数小于4；临近所述阻挡层，沉积介电起始层，其中所述介电起始层包括硅、氧和碳，并且所述介电起始层在第一温度下沉积；以及临近所述介电起始层，沉积第一介电层，其中所述第一介电层包括硅、氧和碳，其介电常数为3或更小，并且其中所述第一介电层在低于所述第一温度的第二温度下沉积。