发明名称 |
形成共面晶片级芯片封装的方法 |
摘要 |
本发明提供了形成共面多芯片晶片级封装的经济的方法。使用局部晶片接合和局部晶片切片技术来形成芯片和凹穴。然后将完成的芯片安装到载体衬底的对应的凹穴中,在完成的芯片的顶部平坦表面上形成芯片间的全局互连。所提供的方法便利了用不同的工艺步骤和材料制造的芯片的集成。不再需要使用平坦化工艺比如化学机械抛光来使芯片的顶面平面化。由于芯片被相互精确对准并且所有芯片都朝上安装,模块已经准备好了进行全局布线,这就不需要将芯片从倒置位置翻转过来。 |
申请公布号 |
CN100437952C |
申请公布日期 |
2008.11.26 |
申请号 |
CN200580032595.8 |
申请日期 |
2005.11.16 |
申请人 |
国际商业机器公司 |
发明人 |
罗伊德·巴雷尔;陈浩;许履尘;沃尔夫冈·索特 |
分类号 |
H01L21/48(2006.01);H01L23/14(2006.01);H01L23/538(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/48(2006.01) |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 |
代理人 |
李春晖 |
主权项 |
1.一种形成多芯片晶片级封装的方法,包括:在多个芯片衬底上形成多个不同类型的芯片,其中,所述多个芯片衬底中的每一个用于仅形成单一类型的芯片;将所述多个不同类型的芯片从所述多个芯片衬底上分离下来;在载体衬底中形成凹穴,其中,每一个凹穴容纳所述不同类型的芯片中的一个;以及将所述多个芯片安装到它们在所述载体衬底中的相应凹穴中,使得所述多个芯片的顶面与所述载体衬底的顶面共面,其中,在所述载体衬底中形成凹穴的步骤包括下述步骤:将晶片局部接合到所述载体衬底的表面,使得所述晶片仅被接合到所述载体衬底的表面上的氧化物区域,而所述晶片不接合到所述载体衬底的表面上的非氧化物区域;以及局部切割所述晶片以去除所述晶片未被接合到所述载体衬底的表面的部分,从而形成所述凹穴。 |
地址 |
美国纽约 |