发明名称 |
P-N结二极管及其制造方法 |
摘要 |
可用于瞬变电压抑制的面层注入二极管,其具有P+衬底(12),在所述衬底的顶表面附近注入N型掺杂剂面层注入物(14),制造出P-区域(18)。邻近P-区域且在其上层叠氧化物掩模(20)。从P-区域的一部分部分地蚀刻掉氧化物掩模,制造出蚀刻区域(22)。向所述蚀刻区域中注入N型主结注入物(24),在所述P+衬底之上且邻近所述P-区域制造出N+区域(26)。并且,在蚀刻区域中所述氧化物掩模之上层叠金属(28)以形成电极。可以将端子电附着到P-N结的两侧。还提供了制造和使用本发明的方法以及瞬变电压抑制方法。 |
申请公布号 |
CN101313408A |
申请公布日期 |
2008.11.26 |
申请号 |
CN200680043427.3 |
申请日期 |
2006.08.17 |
申请人 |
维谢综合半导体有限责任公司 |
发明人 |
S-H·戴;Y-C·金;C-J·黄;L·C·高 |
分类号 |
H01L29/861(2006.01);H01L21/329(2006.01);H01L29/06(2006.01) |
主分类号 |
H01L29/861(2006.01) |
代理机构 |
永新专利商标代理有限公司 |
代理人 |
陈松涛;王英 |
主权项 |
1、一种面层注入二极管,其包括:P+衬底,在该衬底的顶表面附近利用N型掺杂剂面层注入物对该衬底进行注入,制造出P-区域;邻近所述P-区域且在其上层叠的氧化物掩模,从所述P-区域的一部分部分地蚀刻掉所述氧化物掩模,制造出蚀刻区域;注入到所述蚀刻区域中以在所述P+衬底之上且邻近所述P-区域制造出N+区域的N型主结注入物;以及层叠在所述氧化物掩模和所述蚀刻区域之上的金属。 |
地址 |
美国纽约 |