| 发明名称 | 一种基于半导体光存储器单元的光探测器和光摄像单元 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体光存储器技术领域，特别是一种基于半导体光存储器单元的光探测器和光摄像单元。利用半导体双势垒异质结构光存储器单元来实现光探测和摄像单元器件。双势垒中间是宽量子阱；宽量子阱两端或者嵌入二个窄量子阱，或者二个量子点层，或者一个量子阱层和一个量子点层；在双势垒外侧分别有一个厚度适当的、不掺杂的隔离层，上述整个结构放在nin结构的不掺杂i区，构成的完整器件结构。 | ||
| 申请公布号 | CN100438085C | 申请公布日期 | 2008.11.26 |
| 申请号 | CN200510005744.3 | 申请日期 | 2005.01.25 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 郑厚植;李桂荣;杨富华 |
| 分类号 | H01L31/11(2006.01);H01L27/14(2006.01) | 主分类号 | H01L31/11(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 段成云 |
| 主权项 | 1.一种基于半导体光存储器单元的光探测器和光摄像单元，其特征是，利用半导体双势垒异质结构光存储器单元来实现光探测和摄像单元器件，其中双势垒中间是宽量子阱；宽量子阱两端或者嵌入二个窄量子阱，或者嵌入二个量子点层，或者嵌入一个量子阱层和一个量子点层；在双势垒外侧分别有一个厚度适当的、不掺杂的隔离层，上述整个结构放在nin结构的不掺杂i区，构成的完整器件结构。 | ||
| 地址 | 100083北京市海淀区清华东路甲35号 | ||