用于图像传感器的氘熔合处理

摘要

本发明公开了一种熔合图像传感器的方法。该方法包括在半导体基体内形成各种半导体器件，接着在半导体器件上形成绝缘层，最后在形成绝缘层之后且在沉积金属互连层之前，利用氘气熔合该图像传感器。

主权项

1、一种在制造CMOS图像传感器过程中熔合CMOS图像传感器的方法，该方法包括：在半导体基体内形成像素阵列，所述的像素阵列包括选自于如下一组的感光元件：光电二极管、部分PIN型光电二极管、PIN型光电二极管、光电门电路或者光电容；在n-沟道外围区域形成若干半导体器件；在p-沟道外围区域形成若干半导体器件；在所述像素阵列与所述半导体器件上形成绝缘层；随后，对形成在所述像素阵列与所述半导体器件上的绝缘层进行平整；以及在所述绝缘层形成和平整之后、且在该绝缘层上形成接触洞之前，利用氘气熔合所述的图像传感器。