具有低掺杂漏极结构的低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法

摘要

一种具有低掺杂漏极结构的低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法，包括：a)形成一多晶硅岛于一基板上；b)依序形成一介电层、一金属层与一覆盖层，覆盖于多晶硅岛上；c)形成一光阻图案层于覆盖层上，并将未被光阻图案层覆盖的部分覆盖层及金属层移除，且被保留的覆盖层的同侧边露出具有一既定距离的部分金属层；d)进行一高剂量离子掺杂程序，利用金属层作为光掩膜，使得未被金属层覆盖的部分多晶硅岛形成一重掺杂区；e)将未被保留的覆盖层覆盖的部分金属层移除；以及f)进行一低剂量离子掺杂程序，利用金属层作为光掩膜，使得未被金属层覆盖的部分多晶硅岛形成一轻掺杂区。

主权项

1.一种具有低掺杂漏极结构的低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法，包括下列步骤：形成一多晶硅岛于一基板上；依序形成一介电层、一金属层与一覆盖层，覆盖于所述的多晶硅岛上；形成一光阻图案层于所述的覆盖层上，并移除未被所述光阻图案层覆盖的部分所述的覆盖层及所述的金属层，且被保留的所述覆盖层暴露出部分所述金属层，而使得被保留的所述覆盖层与所述金属层的同侧边之间具有一既定距离，其中所述既定距离为至少0.3微米；移除所述光阻图案层；进行一高剂量离子掺杂程序，利用所述的金属层作为光掩膜，使得未被所述的金属层覆盖的部分所述的多晶硅岛形成一重掺杂区；将未被保留的所述的覆盖层覆盖的部分所述的金属层移除；以及进行一低剂量离子掺杂程序，利用所述的金属层作为光掩膜，使得未被所述的金属层覆盖的部分所述的多晶硅岛形成一轻掺杂区。