| 发明名称 | 一种过渡金属硫化物插锂的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种过渡金属硫化物插锂的制备方法，其利用溶剂热的中温高压特点，将溶剂、过渡金属硫化物和还原剂放入高压反应釜中于75～150℃温度下溶剂热反应，其中，还原剂与过渡金属硫化物的摩尔数之比为1∶1～12∶1，可得x(锂插入量)范围为0.75～1.90的插锂化合物Li<SUB>x</SUB>MS<SUB>2</SUB>，不仅可使过渡金属硫化物充分剥离或绝大部分剥离，而且能使过渡金属硫化物插层材料产率达到85％以上。 | ||
| 申请公布号 | CN100436327C | 申请公布日期 | 2008.11.26 |
| 申请号 | CN200610096240.1 | 申请日期 | 2006.09.29 |
| 申请人 | 华侨大学 | 发明人 | 林碧洲;许百环 |
| 分类号 | C01G1/12(2006.01);C01B17/20(2006.01) | 主分类号 | C01G1/12(2006.01) |
| 代理机构 | 泉州市文华专利代理有限公司 | 代理人 | 陈雪莹 |
| 主权项 | 1、一种过渡金属硫化物插锂的制备方法，其特征在于：通过如下方案实现：将溶剂、过渡金属硫化物和还原剂放入高压反应釜中于75～150℃温度下溶剂热反应，其中，还原剂与过渡金属硫化物的摩尔数之比为1∶1～12∶1，还原剂与溶剂的摩尔数之比为0.03∶1～0.42∶1，反应釜的压力为0.3MPa～100MPa，便可得x范围为0.75～1.90的插锂化合物LixMS2；上述溶剂为环己烷或正己烷或它们的混合物，上述还原剂为正丁基锂或硼氢化锂。 | ||
| 地址 | 362000福建省泉州市丰泽区城东华侨大学 | ||