| 发明名称 | 阵列式排列的掺杂钛酸锶和掺杂镧锰氧巨磁阻器件及制法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及阵列式掺杂钛酸锶和掺杂镧锰氧巨磁阻器件，包括：在衬底上的p-n结结构，该p-n结结构有一p型掺杂镧锰氧外延层或n型掺杂钛酸锶外延层与n型掺杂钛酸锶外延层和p型掺杂镧锰氧外延层交替叠层设置在衬底上；在p-n结结构上通过光刻和刻蚀工艺，刻蚀出2个或2个以上巨磁阻器件单元，一对电极设置在最上面的外延层和衬底上，或设置在最上面的外延层和在衬底上的第一层外延层上，电极上连接引线；并且巨磁阻器件单元之间通过电极和引线串联或并联组成阵列式巨磁阻器件。该器件是一种多p-n结结构的高灵敏度磁功能器件，即使在室温和低强度磁场下，也仍然具有很高的灵敏度。本发明的制备方法简单，易于推广实现工业化生产。 | ||
| 申请公布号 | CN100438114C | 申请公布日期 | 2008.11.26 |
| 申请号 | CN02129247.7 | 申请日期 | 2002.09.27 |
| 申请人 | 中国科学院物理研究所 | 发明人 | 吕惠宾;陈正豪;颜雷;戴守愚;刘立峰;相文峰;郭海中;何萌;周岳亮;杨国桢 |
| 分类号 | H01L43/08(2006.01);H01L43/12(2006.01);H01F10/00(2006.01);G11C11/15(2006.01);G11C11/34(2006.01) | 主分类号 | H01L43/08(2006.01) |
| 代理机构 | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王凤华 |
| 主权项 | 1、一种阵列式排列的掺杂钛酸锶和掺杂镧锰氧巨磁阻器件，包括：导电衬底、电极和引线；在所述的导电衬底上有p-n结结构，该p-n结结构由一p型掺杂镧锰氧外延层与一n型掺杂钛酸锶外延层、或一n型掺杂钛酸锶外延层和一p型掺杂镧锰氧外延层交替叠层设置在衬底上组成；一对电极分别设置在最上面的外延层和衬底上，电极上连接引线；其特征在于：还包括在所述的p-n结结构上通过光刻和刻蚀工艺，刻蚀出2个或2个以上巨磁阻器件单元，并且巨磁阻器件单元之间通过电极和引线串联或并联组成阵列式巨磁阻器件。 | ||
| 地址 | 100080北京市海淀区中关村南三街8号 | ||