磁控管溅射

摘要

一种磁控管溅射装置，具有控制器(10a)或者在支架(12)上的衬底(3)上选择性地控制等离子体的释放扩展。在衬底要涂覆上靶材时这个控制器也可以约束等离子体。这在将靶材沉积到所需的衬底例如晶片上的沉积间隔中能够清洁靶的表面，并且保证了靶自身上不会形成由背散射沉积的靶材组成的层或者薄片。一种压筒线圈位于磁控管和支架之间以增加近乎垂直到达衬底表面的靶材的均匀性和密度。

主权项

1.一种磁控管溅射装置(1)，包括：靶(2)；靶的磁控管组件，设置成在靶的整个表面产生均匀腐蚀，以及支架(12)，用来支持衬底(3)，一层靶材的薄膜要从靶沉积到该衬底上，其特征在于该装置还包括：闭环磁铁组件(10)，位于约束靶的真空室的外部、溅射靶周边附近，用来磁约束或者限制在靶表面附近形成的等离子体以改变靶的腐蚀图形，以及控制器(10a)，用于选择性地释放等离子体在整个靶表面的扩散，使得靶的表面可以被腐蚀，并且在靶的周边内选择性地约束等离子体；并且其中该磁控管组件装置的磁铁相对于该靶是可移动的。