辐射图像摄像设备

摘要

在包括把辐射转换成电信号的传感器元件和与传感器元件连接的薄膜晶体管的辐射图像摄像设备中，与薄膜晶体管连接的传感器元件的电极被置于薄膜晶体管之上，薄膜晶体管具有顶栅型结构，其中半导体层，栅极绝缘层和栅电极层依次层叠在衬底上，以致薄膜晶体管的沟道部分受栅电极保护，从而能够获得稳定的TFT特性，而不会因为由与来自传感器电极的输出对应的电势的波动导致的后栅极效应，不合需要地导通任何TFT元件，从而极大地提高图像质量。

主权项

1、一种包含多个像素的光电转换器，每个像素均包括用于把入射光转换成电信号的传感器元件和与传感器元件连接的薄膜晶体管，其中与薄膜晶体管连接的传感器元件的电极被布置在薄膜晶体管之上，薄膜晶体管具有顶栅型结构，在所述顶栅型结构中，半导体层、栅极绝缘层和栅电极层依次层叠在衬底上，并且其中多个薄膜晶体管的每个沟道区宽于多个薄膜晶体管的每个栅电极，并且传感器元件的电极覆盖多个薄膜晶体管的每个沟道区。