| 发明名称 | 制备p型氧化锌半导体体材料的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及制备p型氧化锌半导体体材料的方法，是以摩尔百分比为95％～99.9％ZnO和5％～0.1％Sb的混合粉体为原料，在压力为2～5.4GPa、温度为1400～1600℃条件下热压烧结制得p型ZnO多晶体体材料。该方法制备的p型ZnO半导体体材料，其载流子浓度为1.0×10<SUP>13～21</SUP>cm<SUP>－3</SUP>，电阻率为1×10<SUP>0.01－3</SUP>Ω.cm，迁移率为0.01～13cm<SUP>2</SUP>.V<SUP>－1</SUP>.S<SUP>－1</SUP>。本发明方法所获得的p型ZnO多晶体的半导体体材料结晶质量好；制备重复性好；适于工业化生产，为光电器件制造技术领域提供了特别适用的优质新材料。 | ||
| 申请公布号 | CN101311364A | 申请公布日期 | 2008.11.26 |
| 申请号 | CN200810050450.6 | 申请日期 | 2008.03.10 |
| 申请人 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 发明人 | 秦杰明;姚斌;张吉英;申德振;赵东旭;张振中;李炳辉 |
| 分类号 | C30B29/16(2006.01);C30B28/02(2006.01);H01L31/0296(2006.01) | 主分类号 | C30B29/16(2006.01) |
| 代理机构 | 长春菁华专利商标代理事务所 | 代理人 | 赵炳仁 |
| 主权项 | 1.一种制备p型氧化锌半导体体材料的方法，其特征在于，是以摩尔百分比为95％～99.9％ZnO和5％～0.1％Sb的混合粉体为原料，在压力为2～5.4GPa、温度为1400～1600℃条件下热压烧结制得p型ZnO多晶体体材料。 | ||
| 地址 | 130033吉林省长春市东南湖大路16号 | ||