| 发明名称 | CMP研磨剂以及衬底的研磨方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种CMP研磨剂，该CMP研磨剂含有氧化铈粒子、分散剂、水溶性高分子以及水，其中，上述水溶性高分子是，使用阳离子性偶氮化合物以及其盐中的至少一种作为聚合引发剂，而使含有具有不饱和双键的羧酸以及其盐中的至少一种的单体聚合所形成的聚合物。按照本发明，提供一种在对层间绝缘膜、BPSG膜、浅沟槽隔离用绝缘膜进行平坦化处理的CMP技术中，可无研磨损伤、有效、高速、均匀且易于控制研磨操作地进行研磨的研磨剂以及研磨方法。 | ||
| 申请公布号 | CN101311205A | 申请公布日期 | 2008.11.26 |
| 申请号 | CN200810129238.9 | 申请日期 | 2005.07.20 |
| 申请人 | 日立化成工业株式会社 | 发明人 | 深泽正人;小山直之;仓田靖;芳贺浩二;阿久津利明;大槻裕人 |
| 分类号 | C08J5/14(2006.01);C08L33/02(2006.01);B24B29/00(2006.01);B24B37/04(2006.01);H01L21/304(2006.01) | 主分类号 | C08J5/14(2006.01) |
| 代理机构 | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人 | 钟晶 |
| 主权项 | 1.一种CMP研磨剂，其为将含有氧化铈粒子、分散剂以及水的氧化铈浆料与含有水溶性高分子以及水的添加液分开保存的双液型CMP研磨剂，其中，上述水溶性高分子为，使用阳离子性偶氮化合物以及其盐中至少一种作为聚合引发剂，使含有具有不饱和双键的羧酸以及其盐中至少一种的单体聚合形成的聚合物。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||