半导体薄膜的改性方法

摘要

提供一种半导体薄膜及其改性方法、评价方法和应用。在用激光退火法形成多晶态半导体的方法中，降低多晶态半导体膜的表面粗糙度。在激光退火装置的光学系统中设置透射率分布滤光器，将形成了非晶态硅半导体薄膜的基板上的扫描方向的照射光强度分布，控制成有高能量光强度侧的微晶阈值以上的能量区和只熔化表层的能量区的分布，通过应用于利用通常的线光束的受激准分子激光退火法、或相位移动条纹掩模法、或SLS法中，能降低用各种方法获得的多晶的表面突起的高度。

主权项

1、一种半导体薄膜的改性方法，通过光学系统形成呈线光束形状的激光，使上述激光一边沿着与该线光束的长轴方向交叉的方向进行扫描，一边照射非晶态半导体薄膜，进行晶体化，将该非晶态半导体薄膜改性成多晶态半导体薄膜，其中该光学系统具备：调整来自激光光源的激光强度的衰减器；设置在上述衰减器的后级的长轴均化器；设置在上述长轴均化器的后级的短轴均化器；设置在上述短轴均化器的后级的第一透镜；设置在上述第一透镜的后级的反射镜和第二透镜，该方法的特征在于：把上述线光束内的光强度分布控制成以下这样的面内分布：使得透过设置在由上述短轴均化器后的上述第一透镜产生的一次成像面的位置处的形成了透射率的面内分布的滤波器，并在上述线光束的短轴方向上不同，由此进行上述晶体化。