| 发明名称 | 面发光型半导体激光器、光模块、及光传输装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种面发光型半导体激光器，包括：结构自由且能够进行高速驱动的光检测部分。本发明所涉及的面发光型半导体激光器(100)包括：发光元件部分(140)和设置在发光元件部分(140)的上面且具有出射面(108)的光检测部分(120)。发光元件部分(140)包括：第一反射镜(102)、设置在第一反射镜(102)上方的激活层(103)、设置在激活层(103)上方的第二反射镜(104)。第二反射镜(104)由第一区(104a)以及第二区(104b)构成。该第二区(104b)连接于光检测部分(120)，第二区(104b)电阻比第一区(104a)的电阻大。 | ||
| 申请公布号 | CN100438240C | 申请公布日期 | 2008.11.26 |
| 申请号 | CN200410058402.3 | 申请日期 | 2004.08.06 |
| 申请人 | 精工爱普生株式会社 | 发明人 | 金子刚 |
| 分类号 | H01S5/18(2006.01);H01S5/30(2006.01);H01S5/026(2006.01) | 主分类号 | H01S5/18(2006.01) |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 余刚 |
| 主权项 | 1.一种面发光型半导体激光器，包括：发光元件部分和设置在所述发光元件部分上且具有出射面的光检测部分；所述发光元件部分包括：第一反射镜、设置在所述第一反射镜上方的活性层、以及设置在所述活性层上方的第二反射镜；所述第二反射镜由第一区以及第二区构成；所述第二区与所述光检测部分接触；以及所述第一区及所述第二区包含第一导电型杂质，所述第二区中的第一导电型杂质的浓度低于所述第一区中的第一导电型杂质的浓度，所述第二区的电阻高于所述第一区的电阻。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||