| 发明名称 | 互补金属氧化物半导体图像传感器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器及其制造方法被公开。所述CMOS图像传感器包括：像素区，提供有多个单元像素，每个包括埋入式光电二极管以及浮动扩散区；以及逻辑区，提供有用于处理从单元像素输出的数据的CMOS装置，其中自对准硅化物层形成在逻辑区中的CMOS装置的栅电极和源/漏区上，而自对准硅化物阻挡层形成在像素区之上。 | ||
| 申请公布号 | CN100438058C | 申请公布日期 | 2008.11.26 |
| 申请号 | CN200510137607.5 | 申请日期 | 2005.12.26 |
| 申请人 | 美格纳半导体有限会社 | 发明人 | 李柱日 |
| 分类号 | H01L27/146(2006.01);H01L21/822(2006.01) | 主分类号 | H01L27/146(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 徐谦;杨红梅 |
| 主权项 | 1.一种互补金属氧化物半导体CMOS图像传感器，包括：像素区，提供有多个单元像素，每个包括埋入式光电二极管以及浮动扩散区；以及逻辑区，提供有用于处理从所述单元像素输出的数据的CMOS装置，其中自对准硅化物层形成在所述逻辑区中的所述CMOS装置的栅电极和源/漏区上，而自对准硅化物阻挡层形成在所述像素区之上。 | ||
| 地址 | 韩国忠清北道 | ||