沟槽栅半导体器件及制造方法

摘要

利用具有改善的可重复性工艺来制造沟槽栅半导体器件，例如MOSFET或IGBT，其具有设置在沟槽栅极(8)下方的场板(24)。所述工艺包括下述步骤：在半导体主体(20)中蚀刻第一凹槽(28a)用于接收栅极(8)，和在半导体主体(20)的顶主表面(20a)中蚀刻第二凹槽(28b)，第二凹槽(28b)从第一凹槽(28a)的底部延伸，且比第一凹槽窄。本发明能更好地控制半导体主体的顶主表面(20a)下方栅极的垂直范围。

主权项

1.一种制造沟槽栅半导体器件的方法，该器件包括半导体主体(20)，在半导体主体(20)中形成的具有绝缘栅极(8)的第一沟槽部分(10a)，从第一沟槽部分(10a)底部延伸到半导体主体(20)内部的第二沟槽部分(10b)，所述半导体主体包括通过与第一沟槽部分(10a)邻近的沟道调节区(6)而分开的第一导电类型的源区(2)和漏区(4)，漏区(4)包括漏极漂移区(4a)和漏极接触区(4b)，其中漏极漂移区(4a)在沟道调节区(6)与漏极接触区(4b)之间，且漏极漂移区掺杂的程度比漏极接触区更小，以及在栅极(8)与漏极接触区(4b)之间第二沟槽部分(10b)中的场板(24)，所述方法包括下述步骤：(a)在半导体主体(20)中蚀刻第一凹槽(28a)；(b)邻近第一凹槽(28a)的侧壁形成间隔物(34)，其定义了其间的窗口(34a)；(c)通过间隔物(34)之间的窗口(34a)在半导体主体(20)中蚀刻第二凹槽(28b)，第二凹槽(28b)从第一凹槽的底部向着漏极接触区(4b)延伸，且比第一凹槽(28a)更窄；(d)通过氧化第二凹槽(28b)的底部和侧壁形成场板绝缘层(26b)；(e)通过用电极材料填充第一和第二凹槽(28a、28b)而在第二凹槽(28b)内的场板绝缘层(26b)之上提供场板(24)，并将其回蚀刻直到露出场板绝缘层；(f)移除间隔物(34)；(g)在场板(24)之上和第一凹槽(28a)的底部和侧壁处形成栅绝缘层(26a)；以及(h)在栅绝缘层之上提供栅极(8)。