| 发明名称 | 具有ID标记的半导体晶片，及从中生产半导体器件的方法和设备 | ||
| 摘要 | 半导体晶片具有：倾斜轮廓，沿着半导体晶片的周边形成；形成在该晶片上的产品；和形成在倾斜轮廓上的ID标记。该ID标记至少显示产品的属性、生产条件和检测结果。 | ||
| 申请公布号 | CN100438015C | 申请公布日期 | 2008.11.26 |
| 申请号 | CN200510099508.2 | 申请日期 | 2002.03.21 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 有门経敏;岩濑政雄;灘原壮一;有働祐宗;牛久幸広;新田伸一;宫下守也;菅元淳二;山田浩玲;永野元;丹沢勝二郎;松下宏;土屋憲彦;奥村胜弥 |
| 分类号 | H01L23/544(2006.01);H01L21/00(2006.01);H01L21/66(2006.01) | 主分类号 | H01L23/544(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 秦晨 |
| 主权项 | 1.半导体晶片，包括：圆形基础晶片；倾斜轮廓，沿着所述基础晶片的周边形成；绝缘层，布置在所述基础晶片上；单晶硅层，布置在所述绝缘层上；提供于所述单晶硅层上的第一和第二产品；参考位置，确定在所述单晶硅层的周边，以指示所述单晶硅层的晶向；参考ID标记，根据所述参考位置形成在所述倾斜轮廓上，以指示所述单晶硅层的晶向；以及ID标记，形成在所述倾斜轮廓上，并且含有包含形成在所述单晶硅层上的所述第一产品的属性、生产条件和检测结果的数据，其中所述第二产品根据所述ID标记中的数据而形成。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||