| 发明名称 | 硅片切削崩边控制方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种硅片切削崩边控制方法，包括将滚磨后的硅棒粘贴在切割机上，调整控制硅棒的自转速度、切割机进刀速度以及切割刀刀口的表面温度，对硅棒进行切削；其改进之处是，所述切割的进刀速度控制在0.02cm/min至0.1cm/min；所述硅棒自转速度控制在100转/min至500转/min；所述冷却水的流量控制在2L/min至5L/min；所述切割刀刀口的表面温度保持在40℃以下；其适用于硅片加工的内圆切割和线切割中，通过改变切削工艺条件，达到控制硅片切削崩边发生率的功效，工艺条件设计合理，操作简单方便，生产成本较低。 | ||
| 申请公布号 | CN101310951A | 申请公布日期 | 2008.11.26 |
| 申请号 | CN200710057424.1 | 申请日期 | 2007.05.22 |
| 申请人 | 天津晶岭电子材料科技有限公司 | 发明人 | 仲跻和;李家荣;高如山 |
| 分类号 | B28D1/32(2006.01) | 主分类号 | B28D1/32(2006.01) |
| 代理机构 | 天津三元专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 胡婉明 |
| 主权项 | 1、一种硅片切削崩边控制方法，包括将滚磨后的硅棒粘贴在切割机上，调整控制硅棒的自转速度、切割机进刀速度以及切割刀刀口的表面温度，对硅棒进行切削；其特征在于，所述切割的进刀速度控制在0.02cm/min至0.1cm/min；所述硅棒自转速度控制在100转/min至500转/min；所述冷却水的流量控制在2L/min至5L/min；所述切割刀刀口的表面温度保持在40℃以下。 | ||
| 地址 | 300385天津市开发区微电子工业区中晓园2－B | ||