| 发明名称 | 闪存器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种闪存器件的制造方法，包括：提供半导体衬底；所述半导体衬底具有第一区域和第二区域，在所述第一区域和第二区域中具有浅沟槽隔离区，在所述第一区域上依次形成有第一介质层、多晶硅层的堆栈栅极结构和硬掩膜层，在所述第二区域上依次形成有第二介质层、多晶硅层和硬掩膜层；在所述具有堆栈栅极结构的第一区域上以及所述第一区域和第二区域的硬掩膜层上形成第三介质层；平坦化所述第三介质层至所述第一区域的硬掩膜层表面露出；清洗所述第二区域的硬掩膜层表面，以去除所述第二区域的硬掩膜表面的第三介质层；去除所述第一区域和第二区域的硬掩膜层。本发明闪存器件的制造方在低温氧化层平坦化工艺中不会有残留物。 | ||
| 申请公布号 | CN101312159A | 申请公布日期 | 2008.11.26 |
| 申请号 | CN200710040970.4 | 申请日期 | 2007.05.21 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 蔡信裕;陈建利;孙士祯;孙智江 |
| 分类号 | H01L21/8247(2006.01) | 主分类号 | H01L21/8247(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 李文红 |
| 主权项 | 1、一种闪存器件的制造方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；所述半导体衬底具有第一区域和第二区域，在所述第一区域和第二区域中具有浅沟槽隔离区，在所述第一区域上依次形成有第一介质层、多晶硅层的堆栈栅极结构和硬掩膜层，在所述第二区域上依次形成有第二介质层、多晶硅层和硬掩膜层；在所述具有堆栈栅极结构的第一区域上以及所述第一区域和第二区域的硬掩膜层上形成第三介质层；平坦化所述第三介质层至所述第一区域的硬掩膜层表面露出；清洗所述第二区域的硬掩膜层表面，以去除所述第二区域的硬掩膜表面的第三介质层；去除所述第一区域和第二区域的硬掩膜层。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||