| 发明名称 | 半导体装置 | ||
| 摘要 | 本发明的半导体装置具有半导体衬底(101)、绝缘膜(14b)、半导体元件(EL)和电阻元件(4t)。半导体衬底(101)具有第一槽部(T1)。绝缘膜(14b)覆盖第一槽部(T1)的内表面。半导体衬底(EL)具有电极(13)。电阻元件(4t)以成为针对流过电极(13)的电流的电阻的方式与电极(13)电连接，且经由绝缘膜(14b)设置在第一槽部(T1)中。由此，能够得到具有能够以高可靠性流过大电流的、平面积较小的电阻元件的半导体装置。 | ||
| 申请公布号 | CN101312192A | 申请公布日期 | 2008.11.26 |
| 申请号 | CN200810109111.0 | 申请日期 | 2008.05.23 |
| 申请人 | 三菱电机株式会社 | 发明人 | 楠茂;望月浩一;川上稔 |
| 分类号 | H01L27/06(2006.01);H01L23/522(2006.01) | 主分类号 | H01L27/06(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 闫小龙;王忠忠 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置，具有：半导体衬底，具有第一槽部；绝缘膜，覆盖所述第一槽部的内表面；半导体元件，具有电极；电阻元件，该电阻元件与所述电极电连接成使其成为针对流过所述电极的电流的电阻，并且，隔着所述绝缘膜设置在所述第一槽部中。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||