发明名称 | 半导体芯片、集成电路结构及半导体晶圆 | ||
摘要 | 本发明提供一种半导体芯片、集成电路结构及半导体晶圆,该半导体芯片包括:半导体衬底;晶圆穿孔结构,位于该半导体衬底内;多个导电图案,位于该半导体衬底之上且彼此相邻,其中所述多个导电图案的下表面和该晶圆穿孔结构的上表面实质上共平面,且其中该晶圆穿孔结构至少和所述多个多个导电图案相邻;以及多个接合垫,位于该半导体芯片的表面上,各自连接所述多个导电图案的一个。本发明可在较早的工艺步骤中检测到TWV的对位偏差,且不需损伤晶圆。因此,可即时调整随后的TWV的形成步骤,以避免进一步造成合格率的损失。 | ||
申请公布号 | CN101312181A | 申请公布日期 | 2008.11.26 |
申请号 | CN200710186915.6 | 申请日期 | 2007.11.13 |
申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 陈志华 |
分类号 | H01L23/544(2006.01) | 主分类号 | H01L23/544(2006.01) |
代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 陈晨 |
主权项 | 1.一种半导体芯片,包括:半导体衬底;晶圆穿孔结构,位于所述半导体衬底内;多个导电图案,位于所述半导体衬底之上且彼此相邻,其中所述多个导电图案的下表面和所述晶圆穿孔结构的上表面实质上共平面,且其中所述晶圆穿孔结构至少和所述多个导电图案相邻;以及多个接合垫,位于所述半导体芯片的表面上,各自连接所述多个导电图案的一个。 | ||
地址 | 中国台湾新竹市 |