| 发明名称 | CMOS图像传感器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 公开了一种CMOS图像传感器及其制造方法，其中，在外延层的表面中形成沟槽，在所述沟槽中形成传送晶体管以同时减少死区和暗电流。CMOS图像传感器包括由光电二极管区以及晶体管区限定的第一导电型半导体基板，在半导体基板中形成的与所述晶体管区的传送晶体管对应的沟槽，所述传送晶体管的栅电极，形成在所述沟槽中，在光电二极管区的半导体基板中形成的第二导电型杂质离子区，以及在第二导电型杂质离子区的表面上形成的第一导电型杂质离子区。 | ||
| 申请公布号 | CN100438057C | 申请公布日期 | 2008.11.26 |
| 申请号 | CN200510135156.1 | 申请日期 | 2005.12.27 |
| 申请人 | 东部亚南半导体株式会社 | 发明人 | 沈喜成;金泰雨 |
| 分类号 | H01L27/146(2006.01);H01L21/822(2006.01) | 主分类号 | H01L27/146(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 徐谦 |
| 主权项 | 1.一种用于制造CMOS图像传感器的方法，包括：在由光电二极管区以及晶体管区限定的第一导电型半导体基板的整个表面上形成第一绝缘膜；选择性地去除在用于传送晶体管的晶体管区上的第一绝缘膜；在半导体基板中形成与第一绝缘膜被去除的部分对应的沟槽；在所述沟槽之下形成用于控制传送晶体管的阈值电压的杂质离子注入区；以及在所述沟槽中形成传送晶体管的栅绝缘膜和栅电极。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||