| 发明名称 | GaAs基板的洗涤方法、GaAs晶片及外延基板的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供洗涤后析出异物数量少的GaAs基板的洗涤方法。该洗涤方法由酸洗涤工序(S11)、纯水洗净工序(S12)和旋转干燥工序(S13)构成。首先，通过将表面被镜面研磨的GaAs基板浸渍到酸性洗涤液中来进行酸洗涤工序(S11)。在酸洗涤工序中，洗涤时间不足30秒。然后，进行用纯水将附着在被洗涤的GaAs基板上的洗涤液冲洗干净的纯水洗净工序(S12)。接着，进行使附着有纯水的GaAs基板干燥的旋转干燥工序(S13)。由此，可以提供洗涤后析出异物数量少的GaAs基板。 | ||
| 申请公布号 | CN100437927C | 申请公布日期 | 2008.11.26 |
| 申请号 | CN200580001650.7 | 申请日期 | 2005.04.25 |
| 申请人 | 住友电气工业株式会社 | 发明人 | 堀江裕介;西浦隆幸;上村智喜 |
| 分类号 | H01L21/304(2006.01) | 主分类号 | H01L21/304(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 李香兰 |
| 主权项 | 1.一种GaAs基板的洗涤方法，其特征在于，包括按每道工序而采用不同的酸性溶液，来对GaAs基板进行洗涤的多道酸洗涤工序，所述多道酸洗涤工序的洗涤时间总和不足30秒钟。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||