发明名称 半导体激光装置
摘要 本发明涉及一种半导体激光装置,其具备用于防止散热器的制冷剂流路的腐蚀,并且长期稳定地对半导体激光器阵列进行冷却的构造。该半导体激光装置具备半导体激光器堆、制冷剂供给器、绝缘性配管和制冷剂。制冷剂供给器向半导体激光器堆供给制冷剂。制冷剂包含碳氟化合物。绝缘性配管是具有柔软性的绝缘性管子。在绝缘性配管内配置有接地的导电体。该导电体起着除去当制冷剂在绝缘性配管内流通时生成的静电的作用。
申请公布号 CN100438238C 申请公布日期 2008.11.26
申请号 CN200580001983.X 申请日期 2005.03.08
申请人 浜松光子学株式会社 发明人 宫岛博文;菅博文
分类号 H01S5/024(2006.01);H01L23/473(2006.01) 主分类号 H01S5/024(2006.01)
代理机构 北京纪凯知识产权代理有限公司 代理人 龙淳
主权项 1.一种半导体激光装置,其特征在于,具备;半导体激光器阵列;搭载了所述半导体激光器阵列的散热器;在所述散热器内流动的包含碳氟化合物的制冷剂;将所述制冷剂供给给所述散热器的制冷剂供给器;连接所述散热器和所述制冷剂供给器之间,在内部流通所述制冷剂的绝缘性配管;和配置在所述绝缘性配管内的处于接地状态的导电体。
地址 日本静冈县