发明名称 |
低温多晶硅液晶显示结构及其制造方法 |
摘要 |
本发明涉及一种低温多晶硅的液晶显示结构及其制造方法;该结构包括基板,其具有多个像素区域,各像素区域具有控制区域、电容区域和显示区域,该结构先在基板上形成透明电极,并在透明电极上,且分别在控制区域、电容区域及显示区域的位置,形成控制装置、储存电容装置和显示单元,因此,可提高其电容并减少光掩模制造工艺。 |
申请公布号 |
CN100437985C |
申请公布日期 |
2008.11.26 |
申请号 |
CN200610151736.4 |
申请日期 |
2006.09.08 |
申请人 |
友达光电股份有限公司 |
发明人 |
郑逸圣 |
分类号 |
H01L21/84(2006.01);H01L27/12(2006.01);G02F1/136(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/84(2006.01) |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 |
代理人 |
陶凤波 |
主权项 |
1、一种制造低温多晶硅液晶显示结构的方法,该结构包括基板,该基板具有多个像素区域,各该像素区域具有控制区域、电容区域和显示区域,该方法包括下列步骤:(a)分别形成透明电极,在该基板的该显示区域、该控制区域和该电容区域上,并对应于该控制区域,形成氧化硅绝缘层;(b)对应于该控制区域与该电容区域,分别在该控制区域的该氧化硅绝缘层和该电容区域的该透明电极上,局部形成第一导电层,且该控制区域上,形成控制装置;(c)形成上绝缘层,至少局部覆盖该控制装置与该第一导电层;然后(d)形成第二导电层,至少局部覆盖在该上绝缘层上,以与该第一导电层间形成储存电容装置,使电连接该控制装置至位于该显示区域上的该透明电极。 |
地址 |
中国台湾新竹市 |