一种获得洁净区的硅片快速热处理工艺方法及其产品

摘要

本发明公开了一种获得洁净区的硅片快速热处理工艺方法及其产品。该方法包括：（1）在Ar、NH₃和H₂混合气或N₂、NH₃和H₂混合气的气氛中，将硅片加热到1150～1250℃，再将硅片在1150～1250℃条件下保温30～50秒后，以20～100℃/S的降温速率进行降温至常温；(2)按照常规方法进行退火工艺；(3)按照常规方法进行热处理工艺，即获得洁净区的硅片。通过该工艺方法处理硅片，可以在5～40μm自由控制的洁净区厚度，提高吸杂区域的氧沉淀密度，同时降低表面区域的COP密度。本发明的优点在于提出一项稳定的获取洁净区的工艺并且降低COP密度的快速退火方法。

主权项

1、一种获得洁净区的硅片快速热处理工艺方法，其特征在于：该方法包括下述步骤：(1)、在Ar、NH3和H2混合气或N2、NH3和H2混合气的气氛中，将硅片加热到1150～1250℃，再将硅片在1150～1250℃条件下保温30～50秒后，降温时，在800～1250℃高温阶段的降温速率保持在20～100℃/S；(2)、进行退火工艺；(3)、进行热处理工艺，即获得洁净区的硅片。