| 发明名称 | 制造半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 当在适当的条件下激光束辐照到半导体膜上时，与激光束的扫描方向相关半导体膜可被晶化为类似单晶的晶粒(激光退火)。本发明研究了最有效的激光退火条件。当其上形成半导体膜的矩形基片的一侧的长度为b时，扫描速度为V，获得相对于基片的激光束的扫描速度V所需的加速度为g，并且当满足V=(gb/5.477)<SUP>1/2</SUP>时，激光退火所需的时间最短。使加速度g为常量，但是，当它为时间的函数时，其时间平均值可用于替代该常量。 | ||
| 申请公布号 | CN100437911C | 申请公布日期 | 2008.11.26 |
| 申请号 | CN200610108083.1 | 申请日期 | 2002.10.30 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 山崎舜平;田中幸一郎 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01);H01L21/268(2006.01);H01L21/336(2006.01) | 主分类号 | H01L21/20(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 顾珊;梁永 |
| 主权项 | 1.一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：形成具有非晶结构的半导体膜；以及通过利用激光束以相对扫描速度V扫描半导体膜来结晶化半导体膜，其中，当获得扫描速度V所需要的加速度为g并且在其上形成半导体膜的基片一侧的长度为b时，扫描速度V满足(gb/5.477)1/2/2＜V＜2(gb/5.477)1/2。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县厚木市 | ||