| 发明名称 | 相变化存储器装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种相变化存储器装置及其制造方法。上述相变化存储器装置包括：加热构件具有导电部与相对高电阻的加热部；以及相变化存储层与该加热构件堆叠；其中该相对高电阻的加热部包括金属硅氮化物部分。 | ||
| 申请公布号 | CN101312231A | 申请公布日期 | 2008.11.26 |
| 申请号 | CN200710105193.7 | 申请日期 | 2007.05.24 |
| 申请人 | 财团法人工业技术研究院;力晶半导体股份有限公司;南亚科技股份有限公司;茂德科技股份有限公司;华邦电子股份有限公司 | 发明人 | 陈颐承;陈志伟;许宏辉;李乾铭 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01);H01L27/24(2006.01);G11C11/56(2006.01) | 主分类号 | H01L45/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波 |
| 主权项 | 1.一种相变化存储器装置，至少包括：加热构件具有导电部与相对高电阻的加热部；以及相变化存储层与该加热构件堆叠；其中该相对高电阻的加热部包括金属硅氮化物部分。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹县 | ||