| 发明名称 | 低电导率、抗灰迹Rb:KTP晶体及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种低电导率、抗灰迹Rb:KTP晶体，所述晶体的化学式为Rb<SUB>x</SUB>K<SUB>(1－x)</SUB>TiOPO<SUB>4</SUB>，0.01＜x＜0.1。本发明还公开了一种低电导率、抗灰迹Rb:KTP晶体的制备方法，包括以下步骤：在以K6作助熔剂的生长KTP的原料体系中加入氧化铷并搅拌均匀，制成Rb:KTP晶体原料；将制成的Rb:KTP晶体原料放入坩埚中进行加热熔化后再降温到饱合点；向熔化的原料中加入籽晶使Rb:KTP晶体沿籽晶生长。本发明公开的Rb:KTP晶体与KTP晶体相比，具有很低的电导率，能够满足作为电光器件的电导率要求，在高电场作用下不会使晶体变黑变性而损坏；晶体的吸收系数比较稳定，经实验测试具有很好的抗灰迹性能。 | ||
| 申请公布号 | CN101311356A | 申请公布日期 | 2008.11.26 |
| 申请号 | CN200810105498.2 | 申请日期 | 2008.04.29 |
| 申请人 | 烁光特晶科技有限公司 | 发明人 | 师瑞泽;胡永岚;肖亚波;葛世艳;高山虎;王国影;尹利君;王忠;何庭秋 |
| 分类号 | C30B29/14(2006.01);C30B29/22(2006.01);C30B11/00(2006.01);G02B1/02(2006.01);H01S3/16(2006.01) | 主分类号 | C30B29/14(2006.01) |
| 代理机构 | 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 尹振启 |
| 主权项 | 1.一种低电导率、抗灰迹Rb:KTP晶体，其特征在于，所述晶体的化学式为RbxK(1-x)TiOPO4，0.01＜x＜0.1，其晶胞结构与普通KTP相同。 | ||
| 地址 | 100018北京市朝阳区东坝红松园一号 | ||