发明名称 |
多晶硅制造方法及制造装置 |
摘要 |
本发明公开的多晶硅制造方法是(1)用设置在一腔体内,且位于该腔体内的一具备放入硅的坩埚的上面和侧面的加热器,对所述的坩埚进行加热的工序;(2)一边调整所述的加热器的输出;一边利用位于所述的腔体内并设置于所述的加热器外侧的隔热材料中的处于所述的坩埚下部的一部分隔热材料上的窥视所述坩埚的间隙进行放热,使所述坩埚内的熔融硅由下而上单向凝固的工序。该方法还可以增加一利用设置在所述的坩埚下部的一冷却装置进行单向凝固的工序。本发明还公开了一种多晶硅的制造装置。本发明在使用坩埚制造具有单向凝固组织的硅锭时以低成本提供适合大规模生产的制造装置,同时提供能够安全制造的方法,其工业价值显然是很大的。 |
申请公布号 |
CN101311345A |
申请公布日期 |
2008.11.26 |
申请号 |
CN200810034455.X |
申请日期 |
2008.03.11 |
申请人 |
上海汉虹精密机械有限公司 |
发明人 |
河野贵之;贺贤汉 |
分类号 |
C30B29/06(2006.01);C30B28/06(2006.01) |
主分类号 |
C30B29/06(2006.01) |
代理机构 |
上海天翔知识产权代理有限公司 |
代理人 |
吕伴 |
主权项 |
1.多晶硅制造方法,其特征在于,具备如下工序:(1)用设置在一腔体内,且位于该腔体内的一具备放入硅的坩埚的上面和侧面的加热器,对所述的坩埚进行加热的工序;以及(2)一边调整所述的加热器的输出;一边利用位于所述的腔体内并设置于所述的加热器外侧的隔热材料中的处于所述的坩埚下部的一部分隔热材料上的窥视所述坩埚的间隙进行放热,使所述坩埚内的熔融硅由下而上单向凝固的工序。 |
地址 |
200444上海市宝山区城市工业园区山连路188号 |