在适用于太阳能电池应用的激光划线透明导电氧化层上沉积硅层的方法

摘要

本发明提供一种用于减少透明导电氧化物(TCO)层上缺陷的方法和装置。该方法包括激光划线用于太阳能电池应用的TCO层的方法。在一个实施例中，用于在透明导电氧化物(TCO)层上沉积硅层的方法可以包括激光划线设置在用于太阳能应用的基板上的TCO层的电池集成区域，该TCO层具有在电池集成区域之外的无激光划线外围区域，该外围区域从基板边缘测量的宽度在大约10mm和大约30mm之间，将该划线基板传送到沉积室中，并在该沉积室中将含硅层沉积在该TCO层上。

主权项

1.一种用于在透明导电氧化物层上沉积硅层的方法，包括：提供其上设置有透明导电氧化物层的基板，其中该透明导电氧化物层具有外围区域和电池集成区域，该电池集成区域具有其上设置的激光划线图案；将该基板放置在设置在处理室内的基板支架组件上，其中该基板支架组件具有与该基板接触的粗糙表面；使阴影框架与该透明导电氧化物层外围区域及该基板支架组件接触，由此通过该阴影框架在该透明导电氧化物层和该基板支架之间产生电接地通路；通过该阴影框架的孔在该透明导电氧化物层上沉积含硅层。