沟槽DMOS晶体管结构的制造方法

摘要

一种具有到位于上表面上的漏极触点的低电阻路径的沟槽DMOS晶体管结构及其制造方法。该晶体管结构包括：(1)第一导电型半导体材料的第一区域；(2)形成在第一区域内的栅极沟槽；(3)栅极沟槽内的栅极介电层；(4)与栅极介电材料层相邻的栅极沟槽内的栅电极；(5)形成在第一区域内的漏极进入沟槽；(6)位于漏极进入沟槽内的导电材料的漏极进入区；(7)第一区域内的第一导电型源区，源区位于第一区域的顶表面上或其相邻处且与栅极沟槽相邻；(8)第一区域内的位于源区下且与栅极沟槽相邻的体区，体区具有与第一导电型相反的第二导电型；以及(9)第一区域内的位于体区下面的半导体材料的第二区域。第二区域为第一导电型且具有比第一半导体区高的掺杂剂浓度。此外，第二区域从栅极沟槽延伸到漏极进入沟槽且与栅极沟槽和漏极进入沟槽自对准。

主权项

1.一种制造半导体器件的方法，包括：(a)提供第一导电型半导体材料的第一区域；(b)在所述第一区域的表面上形成所述第一导电型的源区；(c)在第二区域之上形成所述第一区域内的体区，所述体区具有与所述第一导电型相反的第二导电型；(d)在所述第一区域内蚀刻出栅极沟槽和漏极进入沟槽；(e)在所述栅极沟槽和所述漏极进入沟槽内形成栅极介电材料层；(f)通过将第一导电型的扩散物质扩散通过栅极沟槽和漏极进入沟槽而在所述第一区域内形成半导体材料的第二区域，其中，扩散物质重叠以形成所述第一导电型的连续路径，所述第二区域为所述第一导电型且具有比所述第一区域高的掺杂剂浓度，并且所述第二区域从所述栅极沟槽延伸到所述漏极进入沟槽并且与所述栅极沟槽和所述漏极进入沟槽自对准；(g)在所述栅极沟槽和所述漏极进入沟槽内淀积掺杂多晶硅层，其中所述栅极沟槽被填充而所述漏极进入沟槽只是部分地被填充；(h)在整个结构上淀积氧化硅层以填充所述漏极进入沟槽；(i)等离子体硅蚀刻，以去除所述结构的顶表面上的多晶硅并且产生多晶硅区，该多晶硅区填充所述栅极沟槽且涂衬于所述漏极进入沟槽内；(j)在多晶硅区顶上形成薄氧化物层；(k)蚀刻氧化硅层；(l)蚀刻所述漏极进入沟槽底部的多晶硅；以及(m)淀积掺杂多晶硅以填充所述漏极进入沟槽。