一种半导体器件及其制造方法

摘要

本发明涉及一种半导体器件的制造方法，该半导体器件具有一个在衬底的一个表面之内和/或之上形成有至少一个连接区的硅区域的半导体结构。该方法包括由第一非硅化物化的金属形成金属聚集层，接下来淀积一个由第二硅化物化的金属组成的金属层。随后的热处理用于由第二金属形成金属硅化物，第一金属的原子在与衬底表面基本上垂直的方向上被置换。根据本发明，第一金属的原子由于柯肯特尔效应被取代而位于金属硅化物的下面。例如，如果制造一个MOST，这有利于源漏极区位置和栅极区的位置。

主权项

1.一种制造半导体器件的方法，该半导体器件包括具有一个在衬底的一个表面之内和/或之上形成有至少一个连接区的硅区域的半导体结构，其特征在于，该方法包括：由第一金属形成一个金属聚集层，在所述层内，金属聚集与没有金属聚集的部位交替，在所述金属聚集层上面淀积一个第二金属的金属层，所述第二金属是一种硅化物化金属，执行至少一次热处理，以便通过所述第二金属与所述硅区域反应形成金属硅化物，其中在所述至少一次热处理的情况下，所述第一金属是非硅化物化金属，并且所述第一金属的原子在与所述衬底的表面基本上垂直的方向上被置换。