发明名称 |
利用固定温度的卡盘以可变温度的工艺加热衬底的方法 |
摘要 |
本发明提供了一种利用热卡盘在处理室内加热衬底的方法。根据所述方法,将所述衬底降到所述的卡盘上,并加热到低于所述卡盘的温度的第一温度。然后升高所述衬底,使其离开所述卡盘,对所述衬底进行处理,此时,所述衬底被支撑在所述卡盘的上方。然后将所述衬底降回到所述卡盘,加热到大于所述第一温度的第二温度以进一步对衬底进行处理。 |
申请公布号 |
CN100437894C |
申请公布日期 |
2008.11.26 |
申请号 |
CN03821363.X |
申请日期 |
2003.09.10 |
申请人 |
亚舍立技术有限公司 |
发明人 |
G·考科斯 |
分类号 |
H01L21/00(2006.01);G03F7/42(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/00(2006.01) |
代理机构 |
北京纪凯知识产权代理有限公司 |
代理人 |
赵蓉民 |
主权项 |
1.一种在衬底的处理顺序过程中控制衬底温度的方法,所述方法包括:提供处于第一温度的热卡盘,所述第一温度至少等于所需的最高衬底温度,而且将所述卡盘的温度保持在所述第一温度;将晶片支撑在所述卡盘的上方;将所述晶片降到加热位置中,直到所述晶片达到低处理温度,然后将所述晶片升高到所述卡盘上方的上部位置;在所述上部位置处对所述晶片进行处理,同时,所述晶片处于所述低处理温度;将所述晶片降到所述加热位置中,直到所述晶片达到高处理温度,然后将所述晶片升高到所述卡盘上方的所述上部位置;和在所述上部位置处对所述晶片进行处理,同时,所述晶片处于所述高处理温度;其中在执行上述步骤中的每个步骤的同时将所述卡盘保持在所述第一温度。 |
地址 |
美国马萨诸塞州 |