发明名称 FORMING ABRUPT SOURCE DRAIN METAL GATE TRANSISTORS
摘要
申请公布号 KR100869771(B1) 申请公布日期 2008.11.21
申请号 KR20077006761 申请日期 2007.03.23
申请人 发明人
分类号 H01L29/78 主分类号 H01L29/78
代理机构 代理人
主权项
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