发明名称 |
Gesintertes Leistungshalbleitersubstrat sowie Herstellungsverfahren hierzu |
摘要 |
<p>Die Erfindung beschreibt ein Leistungshalbleitersubstrat mit einem isolierenden flächigen Grundkörper, mit mindestens einer auf mindestens einer Hauptfläche angeordneten Schichtfolge aus einer dünnen Haftvermittelungsschicht, einer Sintermetallschicht und einer Leitungsschicht. Das zugehörige Verfahren weist die wesentlichen Schritte auf: Beschichten mindestens einer Teilfläche mindestens einer Hauptfläche des flächigen isolierenden Grundkörpers mit der Haftvermittlungsschicht; Anordnung einer pastösen Schicht aus dem Sintermetall und einem Lösungsmittel, auf einer Teilfläche oder auf der gesamten Fläche der Haftvermittlungsschicht; Anordnen der Leitungsschicht auf der Sintermetallschicht; Druckbeaufschlagung auf die Leitungsschicht des Leistungssubstrats.</p> |
申请公布号 |
DE102007022337(A1) |
申请公布日期 |
2008.11.20 |
申请号 |
DE20071022337 |
申请日期 |
2007.05.12 |
申请人 |
SEMIKRON ELEKTRONIK GMBH & CO. KG |
发明人 |
GOEBL, CHRISTIAN;BRAML, HEIKO;HERMANN, ULRICH |
分类号 |
H01L23/15;C04B37/02;C04B41/90;H01L21/48 |
主分类号 |
H01L23/15 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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