发明名称 Halbleitermodul und Verfahren zur Herstellung eines Halbleitermoduls
摘要 <p>Halbleitermodul mit verbesserter Kühlwirkung. Eine Metallfolie (11) ist mit der unteren Fläche einer Isolierplatte (10) verbunden, eine Metallfolie (12) ist mit der oberen Fläche der Isolierplatte (10) verbunden und Halbleitervorrichtungen (14, 15) sind mit der Metallfolie (12) verbunden. Ein Harzgehäuse (20) umgibt die Metallfolie (11), Isolierplatte (10), Metallfolie (12) und Halbleitervorrichtungen (14, 15) auf der Seite oberhalb der unteren Fläche der Metallfolie (11), und Epoxyharz (30) ist in den Raum zwischen der Innenfläche des Harzgehäuses (20) und der äußeren Umfangsrandfläche der Metallfolie (11) und den Außenflächen der Isolierplatte (10), Metallfolie (12) und Halbleitervorrichtungen (14, 15) gepackt. Mittels der unteren Fläche der Metallfolie (11) und des von dem Harzgehäuse (20) freiliegenden Epoxyharzes (30) wird eine ebene Fläche (22) gebildet, die in engen Kontakt mit einem Kühlelement (40) gebracht werden kann. Dadurch wird ein mit Halbleitervorrichtungen bestücktes Halbleitermodul geschaffen, das ein geringes Gewicht, eine kleinere Baugröße und geringere Kosten hat, eine angemessene Kühlwirkung aufweist und das mit Halbleitervorrichtungen mit höherer Leistung bestückt werden kann.</p>
申请公布号 DE102008023711(A1) 申请公布日期 2008.11.20
申请号 DE20081023711 申请日期 2008.05.15
申请人 FUJI ELECTRIC DEVICE TECHNOLOGY CO. LTD. 发明人 MASAFUMI, HORIO;NISHIZAWA, TATSUO;MOCHIZUKI, EIJI;MARUYAMA, RIKIHIRO
分类号 H01L23/29;H01L21/56;H01L23/36;H05K5/00 主分类号 H01L23/29
代理机构 代理人
主权项
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