| 发明名称 | 单晶氮化镓基板、单晶氮化镓长晶方法及单晶氮化镓基板制造方法 | ||
| 摘要 | 一种单晶氮化镓长晶方法，在衬底基板上有规律地设条纹图案，在其长形成凹凸构成的V沟(谷)并加以维持，同时让GaN凹凸生长，凹凸面构成的V沟(谷)底部形成缺陷集合区H，将变位集结于此，实现其周围的低缺陷单晶区Z与C面生长区Y的低变位化。克服了这些难点：自凹凸面构成的坑的变位变位零乱分布、生成放射状面状缺陷、坑生成位置不可控制。 | ||
| 申请公布号 | CN100435268C | 申请公布日期 | 2008.11.19 |
| 申请号 | CN02145712.3 | 申请日期 | 2002.10.09 |
| 申请人 | 住友电气工业株式会社 | 发明人 | 元木健作;弘田龙;冈久拓司;中畑成二 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01);H01L33/00(2006.01);H01S5/00(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汪惠民 |
| 主权项 | 1、一种单晶氮化镓基板，其特征在于，具有表面和背面，表面具有低缺陷单晶区Z和晶体缺陷集合区H、H；所述低缺陷单晶区Z直线状伸展、有宽；所述晶体缺陷集合区H直线状伸展、有宽，并在宽度方向两侧具有交界线K、K，介于交界线K与所述低缺陷单晶区Z相接。 | ||
| 地址 | 日本大阪市 | ||