| 发明名称 | 一种基于新型缺陷地结构的宽带微带耦合器 | ||
| 摘要 | 本发明公开基于缺陷地结构的宽带微带耦合器包括：缺陷地结构、微带结构信号层和端口，其中缺陷地结构包括：接地层、开口环和交指线；根据耦合器的技术指标耦合系数C、各端口的特性阻抗Z<SUB>0</SUB>、中心频率f<SUB>c</SUB>、以及微带基板的参数(ε<SUB>r</SUB>，h)确定缺陷接地结构的f<SUB>0</SUB>和f<SUB>1</SUB>，使得f<SUB>0</SUB>＜f<SUB>c</SUB>＜f<SUB>1</SUB>，且见式Ⅰ，根据带宽要求选取f<SUB>1</SUB>/f<SUB>0</SUB>的值；根据f<SUB>0</SUB>、f<SUB>1</SUB>和(ε<SUB>r</SUB>，h)确定缺陷接地结构的尺寸。利用仿真软件计算耦合微带线的宽度W和间距d以及长度P，再经过优化以满足设计要求。与传统的平行耦合线定向耦合器相比，加载交指线的开口环缺陷接地结构的宽带耦合微带定向耦合器可以有效提高耦合器的工作带宽；这种缺陷接地结构的存在可以提高耦合器的耦合度。 | ||
| 申请公布号 | CN101308946A | 申请公布日期 | 2008.11.19 |
| 申请号 | CN200710099286.3 | 申请日期 | 2007.05.16 |
| 申请人 | 中国科学院电子学研究所 | 发明人 | 刘开雨;李超;李芳 |
| 分类号 | H01P5/18(2006.01);H01P5/12(2006.01);H01P5/00(2006.01) | 主分类号 | H01P5/18(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 周国城 |
| 主权项 | 1、一种具有缺陷地结构的宽带耦合微带定向耦合器，其特征在于，包括：一接地层(1)中间有一微带结构信号层(5)；一缺陷地结构(4)位于微带结构信号层(5)内。 | ||
| 地址 | 100080北京市海淀区北四环西路19号 | ||