| 发明名称 | 用于形成热屏蔽膜的基体材料的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了形成有热射线屏蔽膜的基体部件的制备方法，包括如下步骤：混合通过使用初始原料三烷氧基硅烷或三烷氧基硅烷和四烷氧基硅烷形成的溶胶溶液与其中分散有锡掺杂氧化铟超细颗粒的溶液以制备处理剂的步骤；及将所述处理剂施用到基体部件上的步骤。在该制备方法中，处理剂具有沸点100－200℃的有机溶剂作为分散介质，通过将保持处理剂的部件与基体部件接触的方式或通过喷涂处理剂的方式进行施用，从而将要形成的膜的雾度值调整到0.5％或更低。 | ||
| 申请公布号 | CN101309759A | 申请公布日期 | 2008.11.19 |
| 申请号 | CN200680042759.X | 申请日期 | 2006.09.21 |
| 申请人 | 中央硝子株式会社 | 发明人 | 斋藤真规;滨口滋生;赤松佳则;公文创一 |
| 分类号 | B05D1/36(2006.01);C09D5/33(2006.01);C09D7/12(2006.01);C09D183/04(2006.01) | 主分类号 | B05D1/36(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 李帆 |
| 主权项 | 1.形成有热射线屏蔽膜的基体部件的制备方法，包括如下步骤：混合通过使用初始原料三烷氧基硅烷或三烷氧基硅烷和四烷氧基硅烷形成的溶胶溶液与其中分散有锡掺杂氧化铟超细颗粒的溶液以制备处理剂的步骤，及将处理剂施用到基体部件上的步骤；所述处理剂具有沸点为100-200℃的有机溶剂作为分散介质，通过将保持处理剂的部件与基体部件接触的方式或通过喷涂处理剂的方式进行施用，从而将要形成的膜的雾度值调整到0.5％或更低。 | ||
| 地址 | 日本山口县 | ||