发明名称 |
用于加工具有激光刻蚀的沟槽触点的基件,尤其是太阳能电池的方法和装置 |
摘要 |
为了加工用于太阳能电池(11)的硅晶片,例如可以利用激光(20a),在活性硅层(13)的增透层(15)上加工沟槽(22)。在沟槽(22)中涂布触点和掺杂材料(30),就可消除激光(20a)可能对活性层(13)的顶面(14)造成的损伤。该材料含有起触点作用的镍以及起掺杂作用的磷。例如,可利用另一激光(20b)对触点和掺杂材料(30)进行加热,就会导致对活性层(13)的邻接区域(25)的掺杂。如此可以对其进行修补,此外还可以使已完成的触点(30′)具有非常小的接触电阻。 |
申请公布号 |
CN101310390A |
申请公布日期 |
2008.11.19 |
申请号 |
CN200680034353.7 |
申请日期 |
2006.09.14 |
申请人 |
吉布尔.施密德有限责任公司 |
发明人 |
C·施米德 |
分类号 |
H01L31/0224(2006.01);H01L31/0216(2006.01);H01L27/142(2006.01) |
主分类号 |
H01L31/0224(2006.01) |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
代理人 |
曹若 |
主权项 |
1.一种加工基件,尤其是加工太阳能电池(11)的方法,所述基件在顶面(14)具有活性层(13),且活性层上有增透层(15),其特征在于下列步骤:-在增透层(15)中加工多条沟槽(22),该沟槽直达位于下面的活性层(13),-在沟槽(22)中或者在沟槽底部(23)上涂布触通材料(30)。 |
地址 |
德国弗罗伊登斯塔特 |