| 发明名称 | 半导体器件的离子注入方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种的离子注入方法，涉及半导体领域的制造技术。该离子注入方法包括如下步骤：提供半导体基体，其包括半导体衬底、沉积于衬底上的栅氧化层以及位于栅氧化层上面的多晶硅层；在多晶硅层上面生成保护氧化层；在保护氧化层上镀光刻胶，进行曝光、蚀刻、显影步骤；进行预掺杂步骤，注入离子穿过保护氧化层注入多晶硅层内；移除光刻胶；移除保护氧化层。与现有技术相比，本发明离子注入方法通过在多晶硅层上设置保护氧化层，避免或至少减少了注入离子掺入半导体衬底内，从而减小了半导体器件性能的衰减。 | ||
| 申请公布号 | CN101308786A | 申请公布日期 | 2008.11.19 |
| 申请号 | CN200710040643.9 | 申请日期 | 2007.05.15 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 何永根;戴树刚 |
| 分类号 | H01L21/266(2006.01) | 主分类号 | H01L21/266(2006.01) |
| 代理机构 | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人 | 王洁 |
| 主权项 | 1.一种离子注入方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：提供半导体基体，其包括半导体衬底、沉积于衬底上的栅氧化层以及位于栅氧化层上面的多晶硅层；在多晶硅层上面生成保护氧化层；在保护氧化层上镀光刻胶，进行曝光、蚀刻、显影步骤；进行预掺杂步骤，注入离子穿过保护氧化层注入多晶硅层内；移除光刻胶；移除保护氧化层。 | ||
| 地址 | 201203上海市张江路18号 | ||