发明名称 |
使用含硅前驱物和原子氧进行高质量流体状硅氧化物的化学气相沉积 |
摘要 |
本文描述沉积氧化硅层于基材上的方法。该方法可包括提供基材至沉积室、在沉积室外产生氧原子前驱物以及将氧原子前驱物引至沉积室中的多个步骤。该方法亦可包括引进硅前驱物至沉积室中,其中硅前驱物和氧原子前驱物先在沉积室内混合。硅前驱物与氧原子前驱物反应而形成氧化硅层于基材上,所沉积的氧化硅层可经退火处理。本文亦描述用来沉积氧化硅层于基材上的系统。 |
申请公布号 |
CN101310039A |
申请公布日期 |
2008.11.19 |
申请号 |
CN200780000130.3 |
申请日期 |
2007.05.30 |
申请人 |
应用材料股份有限公司 |
发明人 |
N·K·英格尔;Z·袁;P·基;K·萨普瑞 |
分类号 |
C23C16/40(2006.01) |
主分类号 |
C23C16/40(2006.01) |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 |
代理人 |
陆嘉 |
主权项 |
1.一种沉积氧化硅层于一基材上的方法,该方法至少包含:提供一基材至一沉积室;在该沉积室外产生一氧原子前驱物,并且引导该氧原子前驱物至该沉积室中;引导一硅前驱物至该沉积室,其中该硅前驱物和该氧原子前驱物在该沉积室内方会混合;使该硅前驱物与该氧原子前驱物反应而形成该氧化硅层于该基材上;以及退火所沉积的该氧化硅层。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |