发明名称 |
一种Ni/Si纳米线阵列的制备方法以及基于这种纳米线阵列的微纳湿度传感器 |
摘要 |
本发明公开了一种Ni/Si纳米线阵列的制备方法,以及基于这种纳米线阵列的微纳湿度传感器。该器件是在N型硅衬底上采用电化学刻蚀技术制作大面积硅纳米线阵列,然后在该阵列上无电镀沉积镍薄膜。由于该结构具有大的长径比和比表面积,其微观结构独特,能够产生独特的物理、化学特性,其对水分子的吸附和解吸附能力都较纯硅纳米线阵列要好。经500℃RTA快速热退火处理后,该器件表面电阻率增大,电容感湿性能增强。本发明工艺简单,与集成电路工艺兼容,制作成本低,可批量生产,应用前景广阔。 |
申请公布号 |
CN101307452A |
申请公布日期 |
2008.11.19 |
申请号 |
CN200810037939.X |
申请日期 |
2008.05.23 |
申请人 |
华东师范大学 |
发明人 |
陶佰睿;苗凤娟;李辉麟;万丽娟;张健 |
分类号 |
C23F17/00(2006.01);C25F3/12(2006.01);C23C18/32(2006.01);B82B3/00(2006.01);G01N27/22(2006.01) |
主分类号 |
C23F17/00(2006.01) |
代理机构 |
上海伯瑞杰知识产权代理有限公司 |
代理人 |
吴泽群 |
主权项 |
1、一种Ni/Si纳米线阵列的制备方法,具体步骤为:1)大面积硅纳米线制备:将N-型硅切割成1cm×1.5cm碎片作为衬底,采用电化学湿法刻蚀技术,按体积比为30mM的AgNO3溶液∶20%的氢氟酸溶液∶去离子水=1∶1∶1的刻蚀液中室温下刻蚀30min;得到高度为85-100μm的硅纳米线阵列;2)Ni-SiNWs纳米复合结构制备:以步骤1)中所得硅纳米线阵列为衬底,在无电镀镍液中沉积镍薄膜,制得Ni-SiNWs纳米复合结构。 |
地址 |
200062上海市中山北路3663号 |