| 发明名称 | GaN衬底以及采用该衬底的外延衬底和半导体发光器件 | ||
| 摘要 | GaN衬底以及采用该衬底的外延衬底和半导体发光器件。GaN衬底(30)的生长面(30a)是相对于m－面或a－面离轴定向的平面。亦即，在GaN衬底(30)中，生长面(30a)是已被偏离定向的m－面或a－面。由于，m－面和a－面是非极性面，利用该GaN衬底(30)，制造半导体发光器件，避免压电场的影响，使之可以实现优越的发射效率。根据m－面或a－面来对生长面施加离轴角，在衬底上生长晶体中实现高质量形态。利用该GaN衬底制造半导体发光器件，能够进一步提高发射效率。 | ||
| 申请公布号 | CN101308896A | 申请公布日期 | 2008.11.19 |
| 申请号 | CN200810097184.2 | 申请日期 | 2008.05.19 |
| 申请人 | 住友电气工业株式会社 | 发明人 | 秋田胜史 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01) | 主分类号 | H01L33/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 梁晓广;陆锦华 |
| 主权项 | 1.一种GaN衬底，其生长面是相对于m-面或a-面离轴定向的平面。 | ||
| 地址 | 日本大阪府大阪市 | ||