| 发明名称 | 研磨用组合物及研磨方法 | ||
| 摘要 | 在为去除位于沟槽(13)外部的导体膜(15)部分而进行的化学机械研磨中，使用第1研磨用组合物。在为去除位于沟槽外部的导体膜部分的残留部分及位于沟槽外部的屏蔽膜部分而进行的化学机械研磨中，使用第2研磨用组合物。第1研磨用组合物含有特定的表面活性剂、硅氧化物、羧酸、防腐蚀剂、氧化剂和水。第2研磨用组合物含有胶体二氧化硅、防腐蚀剂、完全皂化型聚乙烯醇和水。 | ||
| 申请公布号 | CN100435290C | 申请公布日期 | 2008.11.19 |
| 申请号 | CN200480028200.2 | 申请日期 | 2004.09.30 |
| 申请人 | 福吉米株式会社 | 发明人 | 松田刚;平野达彦;吴俊辉;河村笃纪;酒井谦儿 |
| 分类号 | H01L21/304(2006.01);B24B37/00(2006.01);C09K3/14(2006.01) | 主分类号 | H01L21/304(2006.01) |
| 代理机构 | 上海市华诚律师事务所 | 代理人 | 徐申民 |
| 主权项 | 1.一种研磨用组合物，系用于形成半导体器件配线而进行的研磨中使用的研磨用组合物，其特征在于，所述组合物含有：胶体二氧化硅，酸，防腐蚀剂，皂化度为98.0mol％以上的聚乙烯醇，水。 | ||
| 地址 | 日本国爱知县 | ||