发明名称 |
以单层纳米粒子为刻蚀阻挡层构筑抗反射微结构的方法 |
摘要 |
本发明属于表面图案化微结构构筑技术,涉及利用自组装技术与反应离子束刻蚀技术相结合,在基底上构筑具有抗反射性能的微结构的方法。其是以单层聚合物微球、二氧化硅微球、金属或金属氧化物的纳米粒子为阻挡层,对基底进行RIE刻蚀,这样就在基底上构造出类似锥形的微结构,该结构具有极高的抗反射性能,进而有效的提高了光能利用率,降低光学系统中杂光的干扰和提高光学的透过率,从而提高光学系统的灵敏度和稳定性,可用于构筑大面积的抗反射结构。本发明所述方法具有操作简单、基底可变、适用性强、重复性好、成本低、效率高、抗反射的适用波长可调、符合工业化标准等特点,可以用于太阳能电池、白光传感器等光电器件的制作。 |
申请公布号 |
CN101308219A |
申请公布日期 |
2008.11.19 |
申请号 |
CN200810050888.4 |
申请日期 |
2008.06.27 |
申请人 |
吉林大学 |
发明人 |
吕男;徐洪波;齐殿鹏;高立国;迟力峰 |
分类号 |
G02B1/11(2006.01);G03F7/00(2006.01);B81B1/00(2006.01) |
主分类号 |
G02B1/11(2006.01) |
代理机构 |
长春吉大专利代理有限责任公司 |
代理人 |
张景林;刘喜生 |
主权项 |
1、以单层纳米粒子为刻蚀阻挡层构筑抗反射微结构的方法,其步骤如下:A,选取基底,对基底进行清洁及亲水化处理;B,通过自组装技术、功能吸附方法或电沉积的方法将单层纳米粒子组装到基底上,从而在基底上得到单层的纳米粒子的阵列结构,其周期为100nm~10μm;C,以单层纳米粒子的阵列结构为反应离子刻蚀的阻挡层,对基底进行刻蚀,从而在基底上得到锥形的具有抗反射性能的结构。 |
地址 |
130023吉林省长春市朝阳区前进大街2699号 |