发明名称 基于金属球压接互连技术的电力电子集成模块的制备方法
摘要 基于金属球压接互连技术的电力电子集成模块的制备方法,首先将MOSFET管芯焊接在钼片上;在Al<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>基板形成需要的电路图形,然后把钼片焊接到Al<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>基板上,将MOSFET管芯的栅极引出;铜箔电极焊接在Al<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>基板与MOSFET管芯的漏极相连接的焊盘上;在印刷电路板与MOSFET管芯源极相对应的位置点加焊料,形成金属球,把另一对铜箔电极焊接在印刷电路板与金属球相连的焊盘上,在印刷电路板的另一面制作所需驱动电路;将MOSFET管芯栅极引出线键合在印刷电路板布有驱动电路一面的相应焊盘上,再将印刷电路板与Al<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>基板组合。本发明通过焊料熔融再冷却后形成金属球,依靠印刷电路板的弹性使金属球与MOSFET管芯实现互连,替代了铝丝互连工艺,因此大大提高了模块的长期可靠性并减小了模块的体积。
申请公布号 CN100435304C 申请公布日期 2008.11.19
申请号 CN200510041883.1 申请日期 2005.03.31
申请人 西安交通大学 发明人 何晓宇;曾翔君;杨旭;王兆安;王晓宝
分类号 H01L21/60(2006.01);H05K3/34(2006.01) 主分类号 H01L21/60(2006.01)
代理机构 西安通大专利代理有限责任公司 代理人 徐文权
主权项 1、基于金属球压接互连技术的电力电子集成模块的制备方法,其特征在于:1)首先将MOSFET管芯[3]用回流焊工艺焊接在钼片[2]上;2)其次通过沉铜、蚀刻和丝印阻焊工艺在Al2O3基板[1]上形成需要的电路图形,并在Al2O3基板[1]的四角对称位置预留安装孔[4],然后把已经焊上MOSFET管芯[3]的钼片[2]通过回流焊工艺焊接到Al2O3基板[1]上构成功率底板;3)将MOSFET管芯[3]的控制电极通过铝丝键合工艺从MOSFET管芯[3]中引出铝丝[10];4)把铜箔电极[9]焊接在Al2O3基板[1]与MOSFET管芯[3]的漏极相连接的焊盘上;5)在印刷电路板[6]的四周与Al2O3基板[1]的安装孔[4]相对应的位置开设印刷电路板安装孔[7],并在印刷电路板[6]与MOSFET管芯[3]源极相对应的位置的焊盘上点加熔点为221℃的焊料,加热熔融,冷却后形成金属球[5],把另一对铜箔电极[9-1]焊接在印刷电路板[6]与金属球[5]相连的焊盘上;7)在印刷电路板[6]的另一面制作所需要的驱动电路[8];8)将MOSFET管芯[3]的控制电极引出的铝丝[10]穿过印刷电路板[6]的通孔[11]键合在印刷电路板[6]布有的驱动电路[8]一面的相应焊盘上,再通过安装孔[4]和印刷电路板安装孔[7]将印刷电路板[6]与Al2O3基板[1]连为一体。
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