发明名称 | 不同工艺规则SRAM图形的快速修改方法 | ||
摘要 | 本发明公开了一种不同工艺规则SRAM图形的快速修改方法,该方法利用GDSII文件的阶层化结构,以二维图形的布尔运算为基础,通过计算两个SRAM Cell的误差图形面积λ来确定图形的相似性。本发明再通过软件程序建立SRAM Cell库,查找待修改文件中的SRAM Cell,通过比较找到与之相似的可实施的SRAM Cell库中的SRAM Cell,最后以与之相似的可实施的SRAM Cell替代原始SRAM Cell。所有过程均通过软件程序自动完成,与传统的人工操作相比,本发明不仅大大提高效率,而且准确度和可靠性都有较大提升。 | ||
申请公布号 | CN101308516A | 申请公布日期 | 2008.11.19 |
申请号 | CN200710040714.5 | 申请日期 | 2007.05.16 |
申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 张兴洲 |
分类号 | G06F17/50(2006.01) | 主分类号 | G06F17/50(2006.01) |
代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人 | 周赤 |
主权项 | 1.一种不同工艺规则SRAM图形的快速修改方法,其特征是:该方法包括以下步骤:第一步,建立一个SRAM Cell库,该SRAM Cell库中存储着所有可实施的SRAM Cell版图数据,该SRAM Cell库是以GDSII格式存储的;第二步,同时读入待修改的版图文件和SRAM Cell库,查找出这两个GDSII文件中的每一个SRAM Cell;第三步,利用GDSII文件的阶层化结构,以二维图形的布尔运算为基础,比较待修改的版图文件中的一个SRAM Cell和SRAM Cell库中的每一个SRAM Cell,直至找出与待修改的版图文件中的SRAM Cell相似的SRAMCell库中的SRAM Cell;第四步,将待修改的版图文件中的SRAM Cell以SRAM Cell库中的与之相似的SRAM Cell进行替换;第五步,重复上述第三步至第四步,直至待修改的版图文件中的每一个SRAM Cell都找出了与之相似的SRAM Cell库中的SRAM Cell,并以SRAMCell库中的与之相似的SRAM Cell进行替换。 | ||
地址 | 201206上海市浦东新区川桥路1188号 |